當(dāng)前，我國進(jìn)入新時代新發(fā)展階段，正逢世界處于百年未有之大變局。隨著我國在高科技領(lǐng)域逐步崛起，以美國為首的先進(jìn)國家對中國采取制裁、脫鉤、遏制等一系列打壓手段，試圖推進(jìn)全球產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu) “去中國化”，集成電路產(chǎn)業(yè)首當(dāng)其沖。

美國對外不斷采取“小院高墻”政策遏制中國集成電路領(lǐng)域關(guān)鍵科技進(jìn)步，同時拉攏盟友組建“四方芯片聯(lián)盟”；對內(nèi)強(qiáng)推《2022芯片與科學(xué)法》[1]，試圖通過大額度的投資補(bǔ)貼，引導(dǎo)先進(jìn)制造等高附加值集成電路產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)回歸本土。一系列“筑墻”“脫鉤”的做法，嚴(yán)重擾亂全球集成電路供應(yīng)鏈的同時，也使得我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨著嚴(yán)峻的外部競爭形勢。

在全球集成電路供應(yīng)鏈體系深度調(diào)整和產(chǎn)業(yè)鏈加快重塑的大趨勢下，我們需要認(rèn)真梳理美國在集成電路領(lǐng)域立法的歷史沿革、特點(diǎn)和趨勢，也要客觀研判當(dāng)前外部競爭形勢下帶來的發(fā)展挑戰(zhàn)，在此基礎(chǔ)上，作出我國集成電路產(chǎn)業(yè)新發(fā)展格局下的應(yīng)對之策，具有重大的理論意義和現(xiàn)實緊迫性。

一、美國在集成電路領(lǐng)域立法的歷史沿革、特點(diǎn)和趨勢

長期以來，科技立法就是美國激烈爭奪[敏感詞]技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位不可或缺的手段，并且非常重視與科技發(fā)展的同步性。受大國競爭、科技變革疊加新冠肺炎疫情的沖擊，新發(fā)展格局下全球集成電路產(chǎn)業(yè)更加重視產(chǎn)業(yè)鏈的安全穩(wěn)定、更加注重維護(hù)或爭取大國優(yōu)勢地位、更加受到大國內(nèi)部政治力量的推動和國際政治格局的影響。近期美國出臺《2022芯片與科學(xué)法》，更是高科技產(chǎn)業(yè)泛政治化、泛安全化的表現(xiàn)。

目前，美國聯(lián)邦層面有《國家科學(xué)基金會法》[2]、《國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院法》[3]、《美國國家標(biāo)準(zhǔn)局機(jī)構(gòu)法》[3]、《美國競爭法案》[4]、《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》[5]等；科技專項立法[6]有1980年修訂的《專利法》、1980年《拜杜法案》和《史蒂文森—懷勒技術(shù)創(chuàng)新法》、1984年《陸地遙感商業(yè)法案》和《半導(dǎo)體芯片保護(hù)法》[7]、1993年《綠色技術(shù)促進(jìn)法》等?！?022芯片與科學(xué)法》則是[敏感詞]出臺的聯(lián)邦層面的法案。其中與集成電路密切相關(guān)的除了《2022芯片與科學(xué)法》，還有1984年《半導(dǎo)體芯片保護(hù)法》、2007年的《美國競爭法案》、以及2014年的《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》。

1、美國在集成電路領(lǐng)域立法的歷史沿革

美國是最早制造出集成電路的國家，因此也是世界上[敏感詞]個單獨(dú)立法保護(hù)集成電路知識產(chǎn)權(quán)的國家。1979年美國國會就開始討論“以知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)集成電路掩膜”的議案, 1984年美國通過了《半導(dǎo)體芯片保護(hù)法》, 為固定在半導(dǎo)體芯片中的掩膜產(chǎn)品建立了一種新型的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)，并把它編入《美國法典》第17編——《版權(quán)》第9章。

此后短短的幾年里,先后制定類似單行法的國家有日本、瑞典、德國、英國、法國、荷蘭、丹麥、西班牙等。盡管各國給法律所取的名稱不同，但其實質(zhì)內(nèi)容大致都是一樣的。

2007年，《美國競爭法案》由時任美國總統(tǒng)布什正式簽署后生效?！睹绹偁幏ò浮返闹髦紴楸３置绹?1世紀(jì)的創(chuàng)新性，增強(qiáng)美國競爭力，要求對聯(lián)邦政府一系列科學(xué)、技術(shù)和研究項目投入多達(dá)336億美元的資金。

按法案的規(guī)劃，在2007-2010年內(nèi)，聯(lián)邦政府將對一系列與科學(xué)有關(guān)的聯(lián)邦機(jī)構(gòu)實施注資計劃，包括國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所、國家科學(xué)基金會、能源部下屬的一些科學(xué)計劃等。在法案提議下，還將在半導(dǎo)體、新能源等領(lǐng)域支持一批新的政府項目，另外再新設(shè)一個“技術(shù)創(chuàng)新項目”，資助中小型公司進(jìn)行那些“高風(fēng)險、 高回報”的研究[8]。

2014年，《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》在美國國會獲得通過，其前身為美國國家制造業(yè)創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)計劃, 源于美國在金融危機(jī)后推動制造業(yè)回歸的重大國家戰(zhàn)略。該法案對《國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院（NIST）法案》進(jìn)行修改，授權(quán)商務(wù)部部長在NIST框架下實施制造業(yè)創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)計劃，在全國范圍內(nèi)建立制造業(yè)創(chuàng)新中心。

該法案還明確了制造業(yè)創(chuàng)新中心重點(diǎn)關(guān)注納米技術(shù)、先進(jìn)陶瓷、光子及光學(xué)器件、復(fù)合材料、生物基和先進(jìn)材料、混動技術(shù)、微電子器件工具開發(fā)等領(lǐng)域。2014～2024財年商務(wù)部和能源部資助金額分別不超過0.5億和2.5億美元[5]。

2022年8月9日，美國總統(tǒng)拜登正式簽署了資金規(guī)模龐大的《2022芯片與科學(xué)法》。此法案從醞釀到正式簽署經(jīng)歷三年立法拉鋸，幾易其名，在通常勢不兩立的美國民主、共和兩黨的共同推動下，反復(fù)磋商，最終形成。

這份兩黨聯(lián)合推動的法案涉及對集成電路產(chǎn)業(yè)的資金支持規(guī)模和覆蓋范圍都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了之前的所有相關(guān)法案，被認(rèn)為是“數(shù)十年來政府對產(chǎn)業(yè)政策最重大的干預(yù)”，將為“與中國的地緣政治競爭”提供長期戰(zhàn)略支持，可能將對美國產(chǎn)生有史以來最重大、最深遠(yuǎn)的影響之一。

2、美國《2022芯片與科學(xué)法》的內(nèi)容與影響

2020年6月，美國集成電路行業(yè)的產(chǎn)能現(xiàn)狀與戰(zhàn)略危機(jī)促使美國參議院提出《為美國制造芯片創(chuàng)造有利倡議》，后歷經(jīng)多輪修改和博弈，2022年8月9日，美國總統(tǒng)拜登正式簽署《2022芯片與科學(xué)法》[9]，標(biāo)志著該法案正式成為法律。

《2022芯片與科學(xué)法》總額2800億美元，分5年執(zhí)行。其中涉及到支持芯片發(fā)展的資金額度在527億美元，旨在鼓勵企業(yè)在美國研發(fā)和制造芯片，并為這些企業(yè)提供25%的投資稅抵免，價值240億美元。因此未來5年內(nèi)美國在芯片領(lǐng)域投入的政府資金接近800億美元。

《2022芯片與科學(xué)法》中資金分配計劃如表1所示，對集成電路領(lǐng)域的金額中接近3/4的部分直接支持了芯片制造業(yè)，顯示出了美國急于改變當(dāng)前全球集成電路先進(jìn)制造能力在亞太地區(qū)過于集中(全球芯片制造75%的產(chǎn)能已轉(zhuǎn)移到亞太地區(qū))的局面，旨在扭轉(zhuǎn)美國在全球芯片制造業(yè)中所占份額從1990年的38%下降到12%的趨勢。

《2022芯片與科學(xué)法》對制造業(yè)的直接支持額度達(dá)到了390億美元，其中有20億美元用于傳統(tǒng)芯片生產(chǎn)，其余370億美元則全部投入先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)(14納米及以下)的產(chǎn)能建設(shè)。

根據(jù)《2022芯片與科學(xué)法》中規(guī)定的流程，每個項目獲得的補(bǔ)貼額度[敏感詞]不超過30億美元，則說明五年內(nèi)在美至少會增加12條先進(jìn)工藝生產(chǎn)線。

按照為這些企業(yè)提供25%，價值240億美元的投資稅抵免來測算，企業(yè)對先進(jìn)工藝生產(chǎn)線的總投資接近千億，加上政府補(bǔ)貼的370億元，預(yù)計五年內(nèi)美國將有接近1 400億美元的金額投入到先進(jìn)制造產(chǎn)能建設(shè)中，按照先進(jìn)工藝產(chǎn)能每萬片/月投資額在20億美金測算，也就是未來五年在美國將會增加超過70萬片/月的先進(jìn)產(chǎn)能。而目前全球的先進(jìn)工藝產(chǎn)能僅為122萬片/月，而五年后，可以預(yù)計，美國的新增先進(jìn)產(chǎn)能將占據(jù)全球先進(jìn)工藝產(chǎn)能總量的30%-40%，有望全面提升美國芯片制造業(yè)在全球的話語權(quán)。

《2022芯片與科學(xué)法》文本中關(guān)于補(bǔ)貼資助對象資格的內(nèi)容里，明確寫到，禁止接受聯(lián)邦獎勵資金的企業(yè)，在中國等對美國國家安全構(gòu)成威脅的特定國家擴(kuò)建或新建某些先進(jìn)半導(dǎo)體的新產(chǎn)能，期限為10年，違反禁令或未能修正違規(guī)狀況的公司，可能需要全額退還聯(lián)邦補(bǔ)助款。

法案中還要求接受NSF(國家科學(xué)基金會)資助的機(jī)構(gòu)，每年披露對受重點(diǎn)關(guān)注的外國（中國、俄羅斯、朝鮮、伊朗）的財政支持，并允許NSF在某些情況下減少、暫?；蚪K止資助。

這是美國首次通過立法方式，有針對性的通過限制補(bǔ)貼資格遏制中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。這與法案出臺前，美國拉攏歐洲、日本、韓國等盟友和合作伙伴，成立“四方芯片聯(lián)盟”多管齊下全面壓制中國的策略遙相呼應(yīng)，對我國集成電路產(chǎn)業(yè)開啟“圍剿”之勢，企圖通過控制歐日韓和中國臺灣在集成電路工藝、封裝、設(shè)備、材料以及存儲器等領(lǐng)域的關(guān)鍵資源，關(guān)鍵技術(shù)和關(guān)鍵供應(yīng)鏈，將中國擠出全球集成電路產(chǎn)業(yè)版圖。

《2022芯片與科學(xué)法》對美國集成電路產(chǎn)業(yè)的支持不僅僅局限在先進(jìn)制造層面，還包括高達(dá)110億美元的資金支持提供給國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）、國家先進(jìn)封裝制造計劃以及其他研發(fā)和勞動力發(fā)展計劃，以及接近30億美元的資金用于集成電路領(lǐng)域的人才和勞動力培養(yǎng)，軍民融合以及美國及其盟友之間在先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)及供應(yīng)鏈上的協(xié)作。

另外，該法案還將在五年內(nèi)撥款1 700多億美元，授權(quán)美國國家科學(xué)基金會、美國商務(wù)部等增加對關(guān)鍵領(lǐng)域科技研發(fā)的投資，主要應(yīng)用于人工智能、量子計算、先進(jìn)制造、6G通信、能源與材料等領(lǐng)域；部分用于科學(xué)、技術(shù)、工程、數(shù)學(xué)領(lǐng)域的教育和人才培養(yǎng)，促進(jìn)美國在[敏感詞]科學(xué)研究能力。

由此可見，《2022芯片與科學(xué)法》通過精心的頂層設(shè)計，為美國繼續(xù)引領(lǐng)集成電路產(chǎn)業(yè)構(gòu)建了一套從先進(jìn)制造能力、前沿技術(shù)研發(fā)、再到人才培養(yǎng)、技術(shù)應(yīng)用以及聯(lián)盟合作等完備的生態(tài)化支持體系，足見其對集成電路產(chǎn)業(yè)的長遠(yuǎn)布局之心，旨在逐漸拉大與中國的技術(shù)代差。

從美國自建國以來的科技政策與立法中，涉及到與集成電路技術(shù)及產(chǎn)業(yè)相關(guān)的法案數(shù)量不多，但價值越來越大。根據(jù)這些法案，可以總結(jié)出以下幾個特點(diǎn)[6]：

一是與時俱進(jìn)的立法政策。美國的科技立法非常注重與時代的同步性，科技立法政策隨著科技的發(fā)展而不斷地調(diào)整和適應(yīng)。

例如在20世紀(jì)80年代，美國政府為了加強(qiáng)開發(fā)工作和促進(jìn)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，制定和修改了一系列法規(guī)，如修改反托拉斯法；頒布1984年《國家合作研究法》；頒布促使科研成果商品化的1986年《聯(lián)邦技術(shù)轉(zhuǎn)讓法》；支持小企業(yè)創(chuàng)新活動，制定1982年《小企業(yè)創(chuàng)新研究法案》及1987年《技術(shù)競爭力法案》。而在集成電路愈加重視的今天，為爭取更多先進(jìn)芯片制造能力回歸美國本土，即出臺了《2022芯片與科學(xué)法》。

二是特別注重對科技前沿領(lǐng)域的法律保護(hù)?？v觀美國的科技立法，其保護(hù)范圍幾乎涵蓋了所有科學(xué)技術(shù)前沿領(lǐng)域。對集成電路的法律保護(hù)，充分體現(xiàn)了這一點(diǎn)。

例如在1984年《半導(dǎo)體芯片保護(hù)法》、2007年的《美國競爭法案》以及《2022芯片與科學(xué)法》中，都對前沿領(lǐng)域的關(guān)鍵集成電路技術(shù)予以資金支持。這些對于促進(jìn)美國的科技發(fā)展與創(chuàng)新都起到了很大的作用。這也使得美國的集成電路成就長期領(lǐng)先于世界其他國家，前沿領(lǐng)域的科技成果更是源源不斷。

三是在對集成電路領(lǐng)域的立法尤其體現(xiàn)其霸權(quán)至上的價值取向。美國當(dāng)前科技發(fā)展速度和力量出現(xiàn)明顯頹勢，尤其是在集成電路先進(jìn)制造產(chǎn)能方面，在全球占比從1990年的37%下降到2021年的12%。

因此希望通過高額的產(chǎn)業(yè)補(bǔ)貼政策和嚴(yán)格緊密的法律制度，阻止獲得補(bǔ)貼的全球[敏感詞]芯片制造廠商在10年內(nèi)在中國擴(kuò)張集成電路先進(jìn)制造產(chǎn)能業(yè)務(wù)，同時禁止相關(guān)機(jī)構(gòu)人員參與“外國人才招聘計劃”，以防止科技交流帶來他國技術(shù)進(jìn)步，壓縮他國企業(yè)，特別是中國企業(yè)在美國和國際上的生存空間，增強(qiáng)本國科技領(lǐng)域的排他性。

四是對集成電路領(lǐng)域的法案執(zhí)行的連續(xù)性和實施效率難以保證。美三權(quán)分立的制度設(shè)定，使得一些重大政策落地程序繁瑣，即使相關(guān)政策經(jīng)由法案的形式出臺，也會由于往往要向有利于選舉傾斜，相關(guān)政策很容易追求形式，力求短期震懾效應(yīng)，而影響其實施的連續(xù)性和穩(wěn)定性。

例如2007年《美國競爭法案》的執(zhí)行，就因為次貸危機(jī)觸發(fā)了財政資源短缺遭遇阻滯，在2007年12月核準(zhǔn)的美國2008財年撥款當(dāng)中,《美國競爭法案》所承諾的條目幾乎全部消失。在隨后布什政府建議的2009年國會預(yù)算案當(dāng)中，科技和教育兩部分經(jīng)費(fèi)也都大幅度跳水[10]。

隨著美國在集成電路領(lǐng)域的立法對其意識形態(tài)、國家安全保護(hù)的價值取向不斷加強(qiáng)，美國在集成電路領(lǐng)域立法未來可能具有以下發(fā)展趨勢：

一是對集成電路領(lǐng)域立法涉及到的支持資金規(guī)模將越來越大。在本次推出《2022芯片與科學(xué)法》之前，美國科技立法中涉及到集成電路領(lǐng)域的法案屈指可數(shù)，且從來沒有針對集成電路產(chǎn)業(yè)給予大規(guī)模的資金補(bǔ)貼。

2007年的《美國競爭法案》和2014年的《振興美國制造業(yè)和創(chuàng)新法案》中，集成電路產(chǎn)業(yè)都不是重點(diǎn)支持的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，涉及的支持資金規(guī)模也非常有限?！?022芯片與科學(xué)法》是美國歷史上首次如此大規(guī)模的對單一行業(yè)進(jìn)行補(bǔ)貼。

隨著集成電路產(chǎn)業(yè)對國家安全及戰(zhàn)略地位的作用與日俱增，加之先進(jìn)集成電路技術(shù)的研發(fā)成本呈指數(shù)級提升，未來美國對集成電路領(lǐng)域立法涉及到的支持資金額度將會越來越高。

二是出口管制水平不斷加強(qiáng)，尤其是前沿集成電路技術(shù)領(lǐng)域的出口管制。一直以來，美國就不斷推進(jìn)《出口管理法》、《出口管理條例》的修訂工作，企圖進(jìn)一步收緊以集成電路為代表的高技術(shù)、高附加值技術(shù)的出口，尤其是會特別關(guān)注高科技領(lǐng)域戰(zhàn)略儲備物資的出口，以及出口與轉(zhuǎn)賣等間接出口方式。

本次《2022芯片與科學(xué)法》提出針對中國的各項限制就凸顯了這一趨勢。同時緊隨法案的關(guān)于14 nm以下先進(jìn)制造設(shè)備和3 nm GAA技術(shù)需要用到的EDA工具禁運(yùn)，也驗證了這個趨勢。

隨著集成電路進(jìn)入后摩爾時代，下一代前沿技術(shù)可能改變“競爭賽道”和“游戲規(guī)則”，因此美國更加會限制中國去搶抓技術(shù)變革的制高點(diǎn)和下一代技術(shù)引領(lǐng)的話語權(quán)，而加強(qiáng)前沿技術(shù)領(lǐng)域出口管制，限制高科技人才國際化合作和交流則是最直接有效的方式之一，而由此也會導(dǎo)致中國獲取相關(guān)技術(shù)資源的環(huán)境更加惡劣。

三是通過美國聯(lián)邦通信委員會和美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會加強(qiáng)對中國相關(guān)企業(yè)數(shù)據(jù)的審核，并通過各種非政府組織推動隱私保護(hù)、數(shù)據(jù)保護(hù)等議題，限制中國企業(yè)的創(chuàng)新模式，以此來限制、排擠中國企業(yè)。

同時通過國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院制定各種網(wǎng)絡(luò)安全標(biāo)準(zhǔn)，以保護(hù)美國國家供應(yīng)鏈為由，進(jìn)行全面的網(wǎng)絡(luò)安全審查，審核中國高科技企業(yè)的商業(yè)數(shù)據(jù)和科技成果，并且通過美國龍頭企業(yè)的主動配合，向中國企業(yè)施壓，逼迫中國企業(yè)就范。

此外美國還會進(jìn)一步加強(qiáng)對科研機(jī)構(gòu)的監(jiān)管，強(qiáng)調(diào)科研安全，與其他法律聯(lián)動對科研人才、活動的外國影響力進(jìn)行管控。

二、全球集成電路產(chǎn)業(yè)格局新變化及對我國的影響

當(dāng)前，我國進(jìn)入新時代新發(fā)展階段，正逢世界處于百年未有之大變局。美國等發(fā)達(dá)國家從大國競爭的政治利益出發(fā)，無視全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈分工給各國帶來的互利共贏的基本事實強(qiáng)行切斷產(chǎn)業(yè)鏈，利用技術(shù)優(yōu)勢試圖推進(jìn)“去中國化”的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)，遏制和延緩中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈升級步伐，使現(xiàn)有的全球集成電路產(chǎn)業(yè)格局陷入混亂和無序狀態(tài)，并通過切斷、打壓、遏制別國發(fā)展的負(fù)面競爭手段，維持其在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的優(yōu)勢地位，同時也對中國深度參與全球集成電路價值鏈分工、持續(xù)獲得全球化紅利帶來諸多不確定性。

1、我國在集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域追趕阻礙加大

《2022芯片與科學(xué)法》出臺前，韓國政府于2021年5月發(fā)布《K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略》[11]，以“打造世界最強(qiáng)的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈”為愿景，圍繞構(gòu)建“K-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”、加大半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、夯實半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展基礎(chǔ)、提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)危機(jī)應(yīng)對能力四大方面制定了16項推進(jìn)課題，提出到2030年將半導(dǎo)體年出口額增加到2 000億美元，并將相關(guān)就業(yè)崗位增至27萬個，并且由國會及相關(guān)部門就是否制定《半導(dǎo)體特別法》及立法方向進(jìn)行協(xié)商，立法方向包括但不限于：人才培養(yǎng)、基礎(chǔ)設(shè)施支持、投資支持、研發(fā)加速化方案等。

日本政府緊接著在2021年6月對半導(dǎo)體、數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施及數(shù)字產(chǎn)業(yè)做出綜合部署，制定了以擴(kuò)大國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)能力為目標(biāo)的《半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》[12]。歐洲于2022年2月出臺《歐洲芯片法案》[13]提出將在2030年前充分調(diào)動公共和私營部門資金，投入430億歐元(約合3 000億人民幣)構(gòu)建起繁榮的生態(tài)系統(tǒng)，確保歐盟在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

韓國、日本、歐洲集成電路相關(guān)法案及政策如表2所示。先進(jìn)國家將上述政策以法案的形式推出，體現(xiàn)出美歐等國將支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展作為一個長期的，既定的目標(biāo)來執(zhí)行，并且一定程度上確保了其產(chǎn)業(yè)扶持政策的延續(xù)性。這將使得大量資金、關(guān)鍵人才和企業(yè)熱衷于向美國、歐洲等先進(jìn)國家轉(zhuǎn)移，削弱我國獲取國際產(chǎn)業(yè)資源和創(chuàng)新要素的能力。

同時，幾乎所有先進(jìn)國家新推行的集成電路領(lǐng)域相關(guān)法案或政策，都對加大技術(shù)出口管制有明確規(guī)定，這使得國際企業(yè)在我國的技術(shù)溢出和人才培養(yǎng)貢獻(xiàn)將會減小，長期以來我國依靠“外源式”創(chuàng)新獲得的技術(shù)提升機(jī)會將會大打折扣，從而在集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)追趕的阻礙將顯著加大。

2、我國集成電路供應(yīng)鏈“斷供”風(fēng)險加大

近年來，美國、歐洲等先進(jìn)國家和區(qū)域不斷對我國集成電路產(chǎn)業(yè)實施打壓。以美國為例，從特朗普時期的對華集成電路全面封鎖政策，到拜登政府實施的定向封鎖和選擇性脫鉤，對華競爭立場并沒有發(fā)生實質(zhì)性轉(zhuǎn)變。

此外，拜登政府還提出“投資、聯(lián)合、競爭”的新三策略，拉攏歐洲、日本、韓國等盟友和合作伙伴，成立“四方芯片聯(lián)盟”多管齊下全面壓制中國，對我國集成電路產(chǎn)業(yè)開啟“圍剿”之勢。

一方面美國試圖通過控制歐日韓和中國臺灣在集成電路工藝、封裝、設(shè)備、材料以及存儲器等領(lǐng)域的關(guān)鍵資源，關(guān)鍵技術(shù)和關(guān)鍵供應(yīng)鏈，將中國擠出全球集成電路產(chǎn)業(yè)版圖，并由此破壞當(dāng)前以中國為核心的數(shù)十萬億產(chǎn)值規(guī)模的電子信息制造生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)和產(chǎn)業(yè)鏈，動搖中國制造業(yè)大國的市場地位，延滯中國產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

另一方面，美國又準(zhǔn)備通過不斷升級對華制裁和禁運(yùn)，在存儲器設(shè)備、14 nm及以下先進(jìn)工藝設(shè)備、先進(jìn)EDA工具等領(lǐng)域進(jìn)行進(jìn)一步的圍追堵截，同時阻斷我國跟歐洲、日本、韓國等進(jìn)行[敏感詞]技術(shù)合作的通路，實現(xiàn)在[敏感詞]技術(shù)領(lǐng)域與中國“精準(zhǔn)脫鉤”。

由此可見，美國在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域加強(qiáng)進(jìn)出口管制，在高端產(chǎn)品上阻礙我國國際化合作和自力更生，使我國集成電路供應(yīng)鏈斷供風(fēng)險大幅增加，給我國集成電路產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)定和安全發(fā)展帶來極大挑戰(zhàn)。

3、我國集成電路市場周期波動不確定性加大

一直以來，集成電路行業(yè)普遍受到宏觀經(jīng)濟(jì)的影響，周期性特點(diǎn)非常明顯。但近年來受到貿(mào)易保護(hù)主義“抬頭”，以及新冠肺炎疫情全球大流行的沖擊，全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈分工合作的態(tài)勢被打破，企業(yè)尋求建立兼具韌性與穩(wěn)健性供應(yīng)鏈的意愿更加迫切，紛紛加強(qiáng)備貨和安全庫存，加上美國對中國特定企業(yè)實施針對性制裁和“斷供”威脅，也打亂了全球集成電路供應(yīng)鏈體系的正常運(yùn)轉(zhuǎn)，導(dǎo)致2021年出現(xiàn)全球芯片緊缺的局面。

而2022年由于全球經(jīng)濟(jì)下行，俄烏局勢和歐美爆發(fā)高通脹帶來的消費(fèi)力下降，以及國內(nèi)新冠疫情反復(fù)不斷大量抑制投資和消費(fèi)需求，使得全球集成電路供應(yīng)鏈體系從全面缺芯的態(tài)勢逐步轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)構(gòu)性缺芯，尤其是消費(fèi)電子類芯片產(chǎn)品從2022年3季度開始進(jìn)入到漫長的去庫存過程。

而新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)領(lǐng)域的芯片需求仍然飽滿且維持一定的緊缺態(tài)勢。這種由全球供應(yīng)鏈不確定性和不透明而引發(fā)的集成電路市場供應(yīng)關(guān)系轉(zhuǎn)變和調(diào)整，將有可能成為常態(tài)，將會使得我國集成電路市場周期波動不確定性加大，給我國集成電路企業(yè)的生存和發(fā)展帶來更多考驗。

4、我國集成電路高質(zhì)量國產(chǎn)替代難度加大

21世紀(jì)以來，我國先后出臺了一系列鼓勵集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的政策文件(如表3所示)，二十年間有力支撐了國內(nèi)在集成電路領(lǐng)域的技術(shù)追趕和市場拓展。隨著美國不斷收緊對我國集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和供應(yīng)鏈限制，我國開始實施關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品的國產(chǎn)替代，并在一系列產(chǎn)業(yè)政策的推動下取得了階段性的成效[14]。

例如在信創(chuàng)、北斗等領(lǐng)域，已經(jīng)實現(xiàn)國產(chǎn)芯片全鏈條的替代能力，為保障國家“新基建”戰(zhàn)略和黨政軍用基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)貢獻(xiàn)力量。但目前我國集成電路的加速替代進(jìn)程開始面臨天花板，大量中低端產(chǎn)品完成淺層替代，迫切需要攻關(guān)更多“卡脖子”領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，去實現(xiàn)高水平的深度替代。

然而集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條上那些“硬骨頭”的攻關(guān)，往往對創(chuàng)新資源的有效獲取及科學(xué)籌劃組織提出了更高的要求，但我國當(dāng)前則面臨著高質(zhì)量的國產(chǎn)替代難度顯著加大的局面。

一方面由于美國等先進(jìn)國家有意識的控制先進(jìn)技術(shù)外溢，為我國通過科研合作，[敏感詞]人才引進(jìn)等渠道實現(xiàn)技術(shù)升級設(shè)置諸多障礙。

另一方面當(dāng)前國內(nèi)存在大量的低水平重復(fù)建設(shè)，導(dǎo)致資金、人才等創(chuàng)新資源極度分散，無法集中力量形成合力進(jìn)行高水平的國產(chǎn)替代。此外，對光刻機(jī)、14 nm先進(jìn)工藝等對我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈起到“堡壘”作用的最核心領(lǐng)域，我國還缺乏大力度、可持續(xù)的資金投入，以及缺乏高效科學(xué)的統(tǒng)籌和組織布局。

大國競爭背景下的全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)正在加速演進(jìn)，一方面全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局的成本與效率導(dǎo)向勢必要在一定程度上讓位于國家安全原則和戰(zhàn)略偏好，我國利用比較優(yōu)勢獲得全球化紅利的機(jī)遇減少，傳統(tǒng)的后發(fā)趕超道路受阻，為我國加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈升級帶來極大挑戰(zhàn)。

另一方面，各國紛紛效仿我國以“國家力量”推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也從側(cè)面印證了長期以來我國堅定不移以國家意志發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的總體策略是完全正確的，只要進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略定力，探索建立新型[敏感詞]制，積極在社會主義市場經(jīng)濟(jì)條件下開展“卡脖子”領(lǐng)域攻關(guān)，就可以有效應(yīng)對全球集成電路價值鏈重構(gòu)的挑戰(zhàn)和風(fēng)險，在大國競爭中立于不敗之地[15]。

在當(dāng)前形勢下，我們還需要在以下幾方面進(jìn)一步發(fā)展完善：

一是建議在國家層面加大組織力度，全力解決“卡脖子”領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)自主化問題。例如在先進(jìn)工藝、光刻機(jī)及部分關(guān)鍵設(shè)備、先進(jìn)EDA工具、關(guān)鍵半導(dǎo)體材料和零部件等領(lǐng)域的攻關(guān)問題，我們?nèi)孕枰趪覍用婕哟蠼M織力度。

建議在上述領(lǐng)域繼續(xù)設(shè)立國家重大科技專項，加快立項工作，借鑒發(fā)改委“揭榜掛帥”模式，加速實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。其次對于參與上述專項集中攻關(guān)的[敏感詞]領(lǐng)軍人才和工程師人才，給予豐厚且完善的激勵機(jī)制，以保障攻關(guān)的效率和連續(xù)性。

二是全力保障國產(chǎn)集成電路制造供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定發(fā)展。根據(jù)大生產(chǎn)線的切實需要，加快國產(chǎn)設(shè)備、材料的驗證進(jìn)程，同時積極推進(jìn)先進(jìn)工藝所需的設(shè)備及材料、零部件的開發(fā)和驗證。

鼓勵企業(yè)積極采取多源和國產(chǎn)化應(yīng)對措施，抓住窗口期，提前采購關(guān)鍵設(shè)備，防范美國極限施壓，同時在對美依賴高的關(guān)鍵領(lǐng)域積極尋找非美和國內(nèi)供應(yīng)商進(jìn)行聯(lián)合開發(fā)和驗證，重新布局自主供應(yīng)鏈體系。

三是充分發(fā)揮國內(nèi)超大規(guī)模市場優(yōu)勢，強(qiáng)化前沿新技術(shù)領(lǐng)域的“內(nèi)源式”創(chuàng)新能力[16]。支持相關(guān)企業(yè)開展新新技術(shù)和新工藝研發(fā)，在Chiplet(芯粒)、硅光、異質(zhì)集成、RISC-V等方面積極布局，圍繞東數(shù)西算、雙碳戰(zhàn)略、新基建等改善民生和促進(jìn)可持續(xù)發(fā)展的國家戰(zhàn)略，采取“賽馬”和“揭榜”機(jī)制，給予新技術(shù)新工藝“上場競技”的機(jī)會，爭取在新賽道建立一定的基礎(chǔ)引領(lǐng)優(yōu)勢，以繞過現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域的供應(yīng)鏈限制。

四是繼續(xù)發(fā)揮政策和金融對產(chǎn)業(yè)的助力作用，有序及合理引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》出臺接近10年，建議結(jié)合當(dāng)前國內(nèi)外競爭形勢和供應(yīng)鏈布局的變化，進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的頂層設(shè)計，統(tǒng)籌規(guī)劃。出臺我國集成電路產(chǎn)業(yè)新的“十年計劃”和到2035年的中長期發(fā)展規(guī)劃，以強(qiáng)化集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的國家意志。

此外，繼續(xù)發(fā)揮大基金和科創(chuàng)板對集成電路產(chǎn)業(yè)的激勵和撬動作用，加快集成電路企業(yè)上市進(jìn)程，長期保持我國集成電路產(chǎn)業(yè)健康快速發(fā)展態(tài)勢。

免責(zé)聲明：本文轉(zhuǎn)載自“芯智訊”，本文僅代表作者個人觀點(diǎn)，不代表薩科微及行業(yè)觀點(diǎn)，只為轉(zhuǎn)載與分享，支持保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請注明原出處及作者，如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。