1. 濟南發(fā)布《關(guān)于促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》
近日，濟南市人民政府發(fā)布《關(guān)于促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》，提出要圍繞高性能集成電路、功率器件、智能傳感器等細分領(lǐng)域，完善材料、設(shè)計、制造、封測等產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，壯大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，打造國內(nèi)*的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。到2025年，設(shè)計能力明顯提升，材料、制造、封測技術(shù)和產(chǎn)能形成重大突破，產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)生態(tài)基本形成；培育8-10家龍頭企業(yè)，20家以上具有核心競爭力的領(lǐng)軍*企業(yè)，形成500億級產(chǎn)業(yè)規(guī)模，在功率器件、集成電路設(shè)計領(lǐng)域打造具有較強競爭力的產(chǎn)業(yè)集聚高地和創(chuàng)新發(fā)展高地。
2. *第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心新啟動共建8家聯(lián)合研發(fā)中心
據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，6月25日，*第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨*屆專家委員會會議在蘇州工業(yè)園區(qū)召開。
消息指出，會上，面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向，*第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心新啟動共建8家聯(lián)合研發(fā)中心，包括氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示Led技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。
據(jù)了解，蘇州工業(yè)園區(qū)自2006年起布局發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，目前已成為國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)資源集聚度最高、產(chǎn)業(yè)化程度最好的區(qū)域之一，集聚上下游企業(yè)53家，形成了以“設(shè)備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應用”為支撐的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，吸引10余位*級重點人才在園區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)，建設(shè)了加工平臺、測試分析平臺、封裝平臺等一批公共服務(wù)平臺。
