柵極（Gate）的基本原理、材料選擇和工藝方法

老虎說芯|Tiger Chip|

2025-04-02 22:06:28 940

在晶體管*里，如果將晶體管比作一個可控的“水龍頭”，那么柵極（Gate）就如同控制龍頭開關(guān)的閥門，其重要性不言而喻。隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米時代，柵極的材料與制造工藝不斷進(jìn)步，成為提升器件性能的關(guān)鍵之一。

柵極的技術(shù)背景與工作原理

晶體管中的柵極位于源極（Source）與漏極（Drain）之間，通過外加電壓控制半導(dǎo)體溝道內(nèi)載流子的濃度，從而精確調(diào)控源漏間電流的導(dǎo)通與截止。以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）晶體管為例，當(dāng)在柵極上施加特定電壓時，會在柵氧化層下方形成一個載流子通道，電流便可從源極流向漏極，實(shí)現(xiàn)晶體管的“開”狀態(tài)。反之，當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時，通道消失，晶體管處于“關(guān)”狀態(tài)。

柵極材料的演進(jìn)與關(guān)鍵選擇

柵極材料的發(fā)展歷程反映著半導(dǎo)體技術(shù)的迭代進(jìn)步，經(jīng)歷了從傳統(tǒng)材料到先進(jìn)金屬材料的深刻變革。

傳統(tǒng)的多晶硅柵極：在早期工藝節(jié)點(diǎn)中，多晶硅因工藝成熟、技術(shù)路線簡單而廣泛采用。然而，隨著特征尺寸不斷縮小，多晶硅固有的高電阻特性、與高介電常數(shù)（High-k）材料兼容性不足等缺陷逐漸顯現(xiàn)，導(dǎo)致性能瓶頸。
先進(jìn)金屬柵極：為突破多晶硅柵極的局限性，業(yè)界轉(zhuǎn)向具有低電阻率、高導(dǎo)電性、*工藝兼容性的金屬材料。例如鎢（W）、鈦（Ti）、鉭（Ta）、鈷（Co）等金屬或相應(yīng)的金屬硅化物被逐步引入工藝中，滿足低功耗、高性能的芯片要求。
功函數(shù)調(diào)節(jié)材料：為了實(shí)現(xiàn)更精確的閾值電壓（Vt）調(diào)控，設(shè)計人員通常會針對N型和P型MOS器件分別選用不同功函數(shù)的金屬層。這種材料選擇上的差異化設(shè)計能夠優(yōu)化器件性能，使其在不同的電路應(yīng)用場景下達(dá)到最佳狀態(tài)。

柵極制造關(guān)鍵工藝詳解

隨著半導(dǎo)體制造步入納米級精度時代，柵極結(jié)構(gòu)制造成為一項(xiàng)集精密材料處理和高精度制造工藝于一體的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)。

原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）：ALD技術(shù)通過逐個原子層*沉積工藝，制備極薄且均勻的高介電常數(shù)絕緣層（如氧化鉿）和金屬膜。ALD優(yōu)勢在于膜厚均勻性、界面精細(xì)控制，使得納米級工藝節(jié)點(diǎn)下的漏電流與功耗得以大幅降低。
化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）：在柵極制備過程中，CMP工藝對柵極材料進(jìn)行表面平坦化，以保證柵極與其他結(jié)構(gòu)間界面的平整性。這一過程避免了金屬材料在后續(xù)制造環(huán)節(jié)的污染和工藝不兼容問題，確保器件的良品率與性能穩(wěn)定性。
圖案化與精密刻蝕技術(shù)：光刻技術(shù)結(jié)合干法刻蝕（Dry Etching）工藝，共同完成柵極的精細(xì)結(jié)構(gòu)定義。在納米尺度下，對線寬控制的精確度與刻蝕形貌的穩(wěn)定性至關(guān)重要，這不僅影響器件的性能，也關(guān)系到芯片的整體可靠性。

金屬柵極的先進(jìn)工藝技術(shù)：偽柵極替換（Replacement Gate）工藝

隨著FinFET、GAA（Gate-All-Around）等先進(jìn)晶體管結(jié)構(gòu)興起，柵極工藝也進(jìn)入偽柵極替換時代。這種工藝包括：

虛設(shè)柵極形成：首先以易于移除的材料（如多晶硅）制備柵極結(jié)構(gòu)模板，完成晶體管周邊結(jié)構(gòu)的加工與側(cè)墻形成。
替換虛設(shè)柵極材料：通過濕法或干法刻蝕技術(shù)選擇性地移除虛設(shè)柵極，然后利用ALD等先進(jìn)方法沉積高質(zhì)量的高介電層與功函數(shù)金屬，再以鎢、鈷等金屬材料進(jìn)行溝槽填充。
CMP平坦化工藝：將柵極結(jié)構(gòu)多余金屬材料精密移除，確保晶圓表面的高平整性，滿足后續(xù)互聯(lián)工藝的嚴(yán)格要求。

柵極工藝的類比講解

柵極結(jié)構(gòu)的制造工藝如同建筑高樓的“鋼筋混凝土”施工環(huán)節(jié)：

ALD沉積
類似于逐層*涂抹水泥砂漿，精細(xì)控制每一層的厚度與均勻性；
CMP平坦化
如同地板打磨拋光，將表面不規(guī)則凸起精細(xì)磨平，確保最終地面平整光滑；
偽柵極替換工藝
則類似于建筑中利用模板預(yù)留的空腔空間，再精確灌注高強(qiáng)度混凝土以形成最終結(jié)構(gòu)體，完成質(zhì)量更高、性能更優(yōu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計。

這種形象類比有助于工程師直觀理解復(fù)雜工藝背后的技術(shù)精髓。

柵極技術(shù)不斷發(fā)展革新，從傳統(tǒng)多晶硅演變?yōu)橄冗M(jìn)的金屬柵極與功函數(shù)調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。如今，以FinFET、GAA為代表的三維結(jié)構(gòu)晶體管時代對柵極的制造精度、材料選擇和界面控制提出更高要求。展望未來，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更小節(jié)點(diǎn)，新興材料（如二維材料、碳基材料）的研究與開發(fā)將可能引領(lǐng)柵極技術(shù)的下一輪變革，為半導(dǎo)體器件性能提升和功耗降低創(chuàng)造更廣闊的空間。

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