以下內(nèi)容基于官網(wǎng)、年報/公告、技術(shù)資料、渠道/代理與媒體公開信息整理，僅供參考。

1. 公司定位與總體概覽
新潔能（NCE Power，無錫新潔能股份有限公司，A股代碼605111）專注功率半導(dǎo)體分立器件，核心聚焦 MOSFET、IGBT 及其模塊，并向 SiC（碳化硅）功率器件、FRD（快恢復(fù)二極管）、肖特基等方向延伸，形成多電壓平臺支持消費電子、汽車電子、新能源與工業(yè)應(yīng)用。 

2. 產(chǎn)品線總體框架
主要產(chǎn)品族包括：溝槽型功率 MOSFET、屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET、超結(jié)（SJ）MOSFET、IGBT 單管、第七代場截止微溝槽 IGBT、RC-IGBT、PIM（功率集成模塊）、SiC MOSFET、SiC SBD/FRD、硅基 FRD、肖特基/溝槽肖特基、以及配套的高壓與中低壓電壓覆蓋（-200V~1050V MOSFET、電壓等級 650V/750V/1200V/1700V IGBT 模塊等），形成“硅 + 第三代半導(dǎo)體”并行布局。

3. MOSFET 基礎(chǔ)平臺與電壓覆蓋
MOSFET 系列覆蓋從負壓器件到 1050V 的寬電壓段，利用先進溝槽與屏蔽柵結(jié)構(gòu)降低導(dǎo)通損耗、改善電流分布，提高在高頻及同步整流場景的效率與熱均衡，支撐適配多樣化終端板級電源與功率轉(zhuǎn)換拓撲。

4. 超結(jié)（Superjunction）MOSFET 技術(shù)與一代代演進
超結(jié)結(jié)構(gòu)通過垂直 P/N 柱電荷補償突破傳統(tǒng)硅“擊穿電壓—導(dǎo)通電阻”權(quán)衡，Gen4 800V/900V 產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)密度與特征導(dǎo)通電阻（Rds(on)/A）上進一步下降，同時增強高溫導(dǎo)通一致性和功率密度，適配更高能效的高壓適配器、光伏儲能輔助電源與工業(yè)電源。

5. 溝槽/屏蔽柵（Trench & SGT）MOSFET 特點
采用先進溝槽柵與屏蔽柵版圖與工藝，均勻電流路徑、降低柵電荷與 Miller 效應(yīng)，減少導(dǎo)通與開關(guān)綜合損耗，提升在中低壓高頻 DC/DC、主板和 OBC 輔助級的效率與 EMI 設(shè)計彈性。

6. IGBT 單管技術(shù)代次與性能提升
第七代微溝槽場截止 IGBT 在 650V 與 1200V 平臺實現(xiàn)柵電荷下降 50% 以上、電流密度提升至 550A/cm2、飽和壓降低 10% 以上，并推出 1200V 150A TO-247plus 單管與 RC-IGBT 樣品，通過載流子存儲與多梯度背面緩沖層設(shè)計優(yōu)化開關(guān)與導(dǎo)通效率。 

7. IGBT 模塊（PIM）產(chǎn)品線與封裝多樣性
PIM 系列提供 650V、750V、1200V、1700V 等等級，并支持多種通用封裝與拓撲（逆變、PFC、整流等），用于工業(yè)變頻、工業(yè)逆變、新能源與汽車電子等場景，滿足更高功率密度與系統(tǒng)級熱循環(huán)可靠性需求。

8. RC-IGBT 與高電流光伏/儲能場景適配
面向光伏逆變與儲能系統(tǒng)的新一代高電流 IGBT（含 1200V/800A、650V/450A、1200V/600A 等模塊規(guī)劃）與 RC-IGBT 可靠性測試完成，為中功率逆變與部分模塊替代創(chuàng)造條件，提升系統(tǒng) BOM 與熱管理競爭力。

9. 快恢復(fù)二極管（FRD）平臺
自研正溫度系數(shù)高性能 FRD 與 IGBT 第七代芯片匹配，已構(gòu)建 400V、650V、750V、1200V、1600V 等產(chǎn)品平臺并試產(chǎn)，正溫度系數(shù)有利于并聯(lián)電流自動均流；快速恢復(fù)降低反向恢復(fù)損耗與 EMI。

10. FRD 與一般整流二極管的差異（科普說明）
FRD 通過縮短 trr（幾十 ns 級）以適應(yīng)數(shù)十到數(shù)百 kHz 高頻整流，犧牲部分正向壓降換取反向恢復(fù)損耗與效率改善，在 PFC、 LLC 與高頻反激等拓撲中提升系統(tǒng)能效并減小磁性與散熱尺寸。

11. 肖特基與溝槽肖特基（TMBS）/SiC SBD 延展
溝槽肖特基結(jié)構(gòu)（專利公開）通過在溝槽側(cè)壁/底部注入?yún)^(qū)調(diào)控電場，兼顧低正向壓降與反向漏電抑制；同時公司布局 SiC 肖特基（SBD）專利及高耐壓設(shè)計，為高溫、高壓、高頻整流提供更高效率與熱穩(wěn)定性路徑。

12. SiC MOSFET 進展與特性
已開發(fā) 1200V 23mΩ~62mΩ SiC MOSFET 系列并啟動 650V 工藝新開發(fā)，SiC 具備更高擊穿電場、低導(dǎo)通與超低開關(guān)損耗、優(yōu)良短路能力，同時通過 Kelvin 源引腳封裝降低寄生電感與開關(guān)能量，適配新能源車主驅(qū)、OBC、光儲逆變等高效平臺。

13. 包裝與模塊化方向（含 SiC 模塊前瞻）（推理）
通過大電流 TO-247plus、PIM 與計劃中的車規(guī)級 SiC 模塊（業(yè)界趨勢）組合，可在系統(tǒng)級實現(xiàn)從分立到模塊的階梯化設(shè)計選擇，降低客戶熱設(shè)計與并聯(lián)復(fù)雜度，提高平臺復(fù)用率。 

14. 應(yīng)用領(lǐng)域矩陣
產(chǎn)品廣泛進入消費電子、電腦及周邊、手機通訊、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子、智能裝備、軌道交通、光伏新能源、充電樁/儲能、汽車電子（主驅(qū)逆變、DC/DC、OBC、升壓）、5G 與數(shù)據(jù)/云基礎(chǔ)設(shè)施等，為不同功率密度與效率目標提供合適器件組合。

15. 行業(yè)驅(qū)動與汽車/新能源增長邏輯
汽車半導(dǎo)體單車價值從約 600 美元向 1000 美元提升，電動車芯片用量顯著增加；新能源車與光伏儲能對中高壓 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 的滲透率提升構(gòu)成公司未來結(jié)構(gòu)性需求支撐。

16. 技術(shù)棧協(xié)同（硅 + SiC + 封裝 + 二極管）
“硅（MOSFET/IGBT）+ SiC（MOS/SBD）+ 配套 FRD/肖特基 + 模塊封裝”形成多材料、多結(jié)構(gòu)的功率開關(guān)/整流器件“組合拳”，便于在功率等級、效率目標、成本約束之間做最優(yōu)選型，提升客戶平臺化設(shè)計效率。

17. 差異化要點與競爭位置（推理）
差異化集中在：① MOSFET 覆蓋寬電壓區(qū)間并具備超結(jié) Gen4 迭代；② 七代 IGBT + 高電流 TO-247plus + RC-IGBT 搶占光伏儲能與汽車中功率窗口；③ 早期導(dǎo)入 SiC 1200V 多 Rds(on) 檔與 650V 工藝開發(fā)；④ 自研正溫度系數(shù) FRD 與多電壓平臺并行；⑤ 專利與封裝（Kelvin 引腳、模塊多拓撲）支撐高頻高功率效率。 

18. 研發(fā)與平臺建設(shè)路徑
通過連續(xù)代次（超結(jié) Gen4、IGBT 第七代、SiC 新產(chǎn)品、FRD 平臺良率 97%+）顯示其在器件結(jié)構(gòu)、載流子調(diào)控、工藝密度與封裝寄生優(yōu)化等維度的迭代節(jié)奏，為后續(xù)拓展車規(guī)與更高可靠性標準奠定基礎(chǔ)。

19. 未來趨勢展望（推理）
預(yù)計將繼續(xù)：向更低 Rds(on)/更高電流密度超結(jié)與溝槽平臺迭代；加快 SiC 650V/1200V 向主驅(qū)與高功率模塊化延伸；推動 FRD/SiC SBD 高溫可靠性與車規(guī)認證；提升 PIM 拓撲多樣性及車規(guī)級封裝；并結(jié)合行業(yè)車用與新能源高復(fù)合增長實現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級。 

20. 小結(jié)
新潔能產(chǎn)品線已形成從硅基 MOSFET（溝槽/屏蔽柵/超結(jié)）、IGBT（第七代單管 + 模塊 + RC-IGBT）、SiC MOSFET & SBD、FRD/肖特基及相關(guān)封裝平臺的層次化矩陣，覆蓋多電壓與多應(yīng)用場景；通過持續(xù)迭代的結(jié)構(gòu)與材料技術(shù)疊加模塊化與正溫度系數(shù) FRD 協(xié)同，提升在新能源、汽車與工業(yè)能效場景的系統(tǒng)價值與客戶黏性。

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