服務(wù)熱線
0755-83044319
晶體管類型:NPN
集射極擊穿電壓(Vceo):50V
集電極電流(Ic):100mA
功率(Pd):150mW
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):0.3V @ 10mA,0.5mA
特征頻率(fT):250MHz
工作溫度:150℃@(Tj)
產(chǎn)品概述:
DTC114EE是由薩科微(Slkor)生產(chǎn)的 NPN 型數(shù)字晶體管,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。該晶體管具有高集電極擊穿電壓、適度的集電極電流和低功耗的特點(diǎn)。采用適用于表面貼裝的封裝,適用于各種電子設(shè)備。
關(guān)鍵特性:
晶體管類型: NPN - 面向負(fù)正負(fù)型晶體管的 NPN 型設(shè)計(jì)。
集射極擊穿電壓(Vceo): 50V - 提供較高的集射極擊穿電壓。
集電極電流(Ic): 100mA - 具有適度的集電極電流能力。
功率(Pd): 150mW - 適用于低功耗電子設(shè)備。
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.3V @ 10mA,0.5mA- 低飽和電壓設(shè)計(jì)。
特征頻率(fT): 250MHz - 適用于高頻應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域:
數(shù)字邏輯電路
放大器和放大電路
電源管理系統(tǒng)
通信設(shè)備
LED 驅(qū)動(dòng)器
性能優(yōu)勢(shì):
較高的擊穿電壓: 50V 的擊穿電壓,適用于中到高壓應(yīng)用。
適度的集電極電流能力: 100mA 的集電極電流,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
低功耗: 150mW 的功率,適用于低功耗電子設(shè)備。
低飽和電壓設(shè)計(jì): 0.3V 的飽和電壓,有助于降低功耗。
較高的特征頻率: 250MHz 的特征頻率,適用于高頻應(yīng)用。
安裝與使用:
DTC114EE采用適用于表面貼裝的封裝。詳細(xì)的安裝和使用說明可參考產(chǎn)品手冊(cè),確保最佳性能和穩(wěn)定性。
注意事項(xiàng):
在使用DTC114EE時(shí),請(qǐng)根據(jù)產(chǎn)品手冊(cè)提供的電氣特性和*最大額定值來選擇合適的工作條件,并確保正確連接和使用。
為了獲取更多技術(shù)支持和產(chǎn)品信息,請(qǐng)聯(lián)系薩科微(Slkor)客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì)。
文件名稱 | 標(biāo)題 | 說明 |
---|---|---|
DTC114EE SOT-523.pdf | DTC114EE SOT-523 | - |
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