2025-07-28
668
一、什么是分子束外延(MBE)? 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, 簡稱MBE)是一種在超高真空條件下,通過將高純度元素以原子或分子束的形式沉積在加熱的晶圓襯底表面,進行原子級控制的薄膜外延生長的技術(shù)。這項技術(shù)能夠以極高的精度控制外延層的厚度、組分和界面結(jié)構(gòu),適用于生產(chǎn)高性能化合物半導(dǎo)體材料。 二、MBE的設(shè)備組成與工作流程 MBE設(shè)備并非一個簡單的真空爐,它是一個多腔室、超高精度的材料沉積平臺。 圖片來源:論文《分子束外延設(shè)備國內(nèi)外進展及
了解更多