2022-03-17
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01國內(nèi)氮化鎵賽道的投資價值 一、氮化鎵賽道的投資價值 第三代半導(dǎo)體的材料特性帶來其對硅基功率器件部分市場的逐步替代，這一點不斷通過市場應(yīng)用的驗證，已基本成為共識。 相比碳化硅，目前硅基氮化鎵的主要劣勢包括耐壓等級低和缺乏可靠性的驗證數(shù)據(jù)。另外，由于硅基氮化鎵整體產(chǎn)值低，尚未形成規(guī)模效應(yīng)，導(dǎo)致成本相比碳化硅并沒有形成優(yōu)勢。 但目前硅基氮化鎵廠商正在通過外延、器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動控制電路推動產(chǎn)品向高耐壓（目前已有1200v的產(chǎn)品）和高可靠性（目前已有高壓器件的理想可靠性數(shù)據(jù)）不斷演進(jìn)，且氮化鎵器件
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