射頻前端模組，看這一篇就夠了

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2022-03-17 07:06:47 9

射頻前端(RFFE, Radio Frequency Front-End)芯片是實(shí)現(xiàn)手機(jī)及各類(lèi)移動(dòng)終端通信功能的核心元器件，全球市場(chǎng)超過(guò)百億美金級(jí)別。過(guò)去10年本土手機(jī)的*崛起，為本土射頻前端產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)；而5G在中國(guó)的率先商用化，以及全球貿(mào)易環(huán)境的變化，又給本土射頻行業(yè)加了兩捆柴火。射頻前端芯片產(chǎn)業(yè)在我國(guó)也已經(jīng)有了15年以上的發(fā)展歷史，創(chuàng)新和創(chuàng)業(yè)活動(dòng)非常活躍，各類(lèi)企業(yè)數(shù)十家，也是市場(chǎng)和資本高度關(guān)注的領(lǐng)域。本文作者有幸在射頻芯片行業(yè)從業(yè)11年，從2G時(shí)代做到今天的5G，也在外企、民企、國(guó)企都工作過(guò)，直接開(kāi)發(fā)并大量量產(chǎn)過(guò)射頻的每一類(lèi)型產(chǎn)品。這篇文章總結(jié)了作者與一些行業(yè)朋友近些年的討論，嘗試對(duì)射頻模組產(chǎn)品的技術(shù)市場(chǎng)及商業(yè)邏輯進(jìn)行梳理。同時(shí)，本土射頻發(fā)展了十余年，競(jìng)爭(zhēng)是行業(yè)主線(xiàn)，合作與友誼是非常稀缺的資源。本文將會(huì)重點(diǎn)分享“模組化”的相關(guān)知識(shí)，也是希望更多的本土廠商去通過(guò)“合作”分享模組化的巨大機(jī)遇。

引言

根據(jù)魏少軍教授在“2020全球CEO峰會(huì)”的《人間正道是滄桑-關(guān)于大變局下的戰(zhàn)略定力》主題演講，統(tǒng)計(jì)得出對(duì)中國(guó)市場(chǎng)依賴(lài)度最高（依營(yíng)收占比計(jì)算）的美國(guó)公司，如下圖。我們可以看到SKYWORKS、Qualcomm、Qorvo、Broadcom這四家美國(guó)射頻巨頭（其中SKYWORKS和Qorvo以射頻業(yè)務(wù)為主；Qualcomm和Broadcom包含了射頻業(yè)務(wù)）恰好占據(jù)了排行榜前4名。

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射頻前端的國(guó)際情況

射頻前端技術(shù)主要集中在濾波器(Filter)、功率放大器(PA, Power Amplifier)、低噪聲放大器(Low Noise Amplifier)、開(kāi)關(guān)（RF Switch）。目前全球射頻市場(chǎng)由引言提到的四家美國(guó)射頻公司Skyworks、Qualcomm、Qorvo、Broadcom與日本Murata這五大射頻巨頭寡占。

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五家射頻巨頭在PA與LNA等市場(chǎng)占有率超過(guò)九成。濾波器方面，則分為聲表面波(SAW, Surface Acoustic Wave)與體表面波(BAW, Bulk Acoustic Wave)濾波兩種主要技術(shù)。目前，SAW濾波器市場(chǎng)由Murata占據(jù)一半，Skyworks約10%，Qorvo約4%，其余則被太陽(yáng)誘電、TDK等大廠瓜分。BAW濾波器的市場(chǎng)則由美國(guó)企業(yè)占據(jù)9成市場(chǎng)。

由此可見(jiàn)，射頻前端是巨大的市場(chǎng)，能容納5家國(guó)際巨頭持續(xù)發(fā)展。國(guó)際巨頭的技術(shù)跨度大，模組化能力強(qiáng)；模組化產(chǎn)品是國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的主賽道。每家巨頭都擁有BAW技術(shù)或其替代方案。

射頻前端的國(guó)內(nèi)情況

關(guān)于射頻前端的國(guó)內(nèi)情況有很多文章都曾提到，這里不贅述，只給幾個(gè)共識(shí)比較多的結(jié)論：

1.本土公司普遍以分立器件為主要方向；分立器件是當(dāng)前本土競(jìng)爭(zhēng)的主賽道。

2.本土公司缺乏先進(jìn)濾波器技術(shù)及產(chǎn)品，模組化能力普遍不強(qiáng)。

5G模組化挑戰(zhàn)及機(jī)遇的來(lái)源

PCB布線(xiàn)空間及射頻調(diào)試時(shí)間的挑戰(zhàn)，下沉到了入門(mén)級(jí)手機(jī)，打通了國(guó)產(chǎn)模組芯片的迭代升級(jí)路徑。

射頻模組芯片，不是一個(gè)新生的產(chǎn)品系列。事實(shí)上，射頻模組芯片的使用幾乎與LTE商業(yè)化同時(shí)發(fā)生。過(guò)去10年內(nèi)，各種復(fù)雜的射頻模組已經(jīng)普遍應(yīng)用在了各品牌的旗艦手機(jī)中；與此同時(shí)，在大量的入門(mén)級(jí)手機(jī)上，分立器件的方案也完全能夠滿(mǎn)足各方面的要求。因此在過(guò)去10年就出現(xiàn)了涇渭分明的兩個(gè)市場(chǎng)：旗艦機(jī)型用模組方案；入門(mén)機(jī)型用分立方案。模組方案要求“高集成度和高性能”，因而價(jià)格也很高；而分立方案要求“中低集成度和中等性能”，售價(jià)相對(duì)而言就低不少。兩種方案之間存在巨大的技術(shù)和市場(chǎng)差異，我們可以把這個(gè)稱(chēng)作4G時(shí)代的“模組鴻溝”。

4G時(shí)代的“模組鴻溝”

5G的到來(lái)，徹底改變了這個(gè)狀況。

相比于4G入門(mén)級(jí)手機(jī)的2~4根天線(xiàn)，5G入門(mén)級(jí)手機(jī)的天線(xiàn)數(shù)目增加到了8~12根；需要支持的頻段及頻段組合也在4G的基礎(chǔ)上顯著增加。大家知道，射頻元器件的數(shù)目，與天線(xiàn)數(shù)目及頻段強(qiáng)相關(guān)，這就意味著射頻元器件的數(shù)目出現(xiàn)了急劇地增長(zhǎng)。與此同時(shí)，由于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的要求，5G手機(jī)留給射頻前端的PCB面積是無(wú)法增加的，因此分立方案的面積大大超過(guò)了可用的PCB面積。這是空間帶來(lái)的約束。

還有一個(gè)挑戰(zhàn)，來(lái)自于調(diào)試時(shí)間。4G使用分立器件方案的射頻調(diào)試時(shí)間，一般在一周以?xún)?nèi)。隨著5G射頻復(fù)雜度的顯著提升，假設(shè)使用分立方案，可能會(huì)帶來(lái)3~5倍的調(diào)試時(shí)間增加；從成本上來(lái)講，還需要消耗更貴的5G測(cè)試設(shè)備、熟悉5G測(cè)試的工程師資源。如果使用模組，大部分的調(diào)試已經(jīng)在模組設(shè)計(jì)過(guò)程中在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了，調(diào)試工作量將更多地移到軟件端，因此調(diào)試效率大大提升。這是時(shí)間帶來(lái)的約束。

時(shí)間和空間的約束，強(qiáng)烈而普遍。因此在入門(mén)級(jí)5G手機(jī)中，就天然出現(xiàn)了對(duì)“中低性能和高集成度”模組的需求，與旗艦手機(jī)的“中高性能和高集成度”模組形成了管腳統(tǒng)一。既然都需要高集成度的模組，只是指標(biāo)要求不一樣，這樣國(guó)產(chǎn)的模組芯片就可以從“中低性能”（5G入門(mén)級(jí)手機(jī)）向“中高性能”(5G旗艦手機(jī))迭代演進(jìn)。因此，“模組鴻溝”便被填平了。

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任何事情都是兩面的?！澳＝M鴻溝”被填平以后，分立市場(chǎng)的空間也出現(xiàn)了風(fēng)險(xiǎn)；對(duì)專(zhuān)長(zhǎng)于分立芯片的本土企業(yè)來(lái)講，也需要巨大的資源和力量去在模組產(chǎn)品中找到自身的位置；如果不能突破，就會(huì)在不遠(yuǎn)的未來(lái)進(jìn)入到瓶頸階段。

在5G的早期階段，目前市場(chǎng)上也出現(xiàn)了一種混合方案，即用分立器件和模組混搭的方案。這個(gè)方案的出現(xiàn)，有很多客觀的原因，其中就包括歷史上形成的“模組鴻溝”。這種方案是妥協(xié)的產(chǎn)物，犧牲了一些關(guān)鍵指標(biāo)，而且面積上也做了讓步。如果沒(méi)有專(zhuān)注做國(guó)產(chǎn)化模組的芯片公司，就不會(huì)有優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)模組芯片；如果沒(méi)有優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)模組芯片，模組方案的價(jià)格永遠(yuǎn)高高在上。

濾波器技術(shù)簡(jiǎn)要分類(lèi)

BAW 濾波器：即體聲波濾波器。具有插入損耗小、帶外衰減大等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)對(duì)溫度變化不敏感，BAW濾波器的尺寸大小會(huì)隨著頻率升高而縮小，因此尤其適用于1.7GHz以上的中高頻通信，在5G與sub-6G的應(yīng)用中有明顯優(yōu)勢(shì)。

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SAW濾波器：即聲表面波濾波器。采用石英晶體、鈮酸鋰、壓電陶瓷等壓電材料，利用其壓電效應(yīng)和表面波傳播的物理特性而制成的一種濾波專(zhuān)用器件。SAW濾波器具有性能穩(wěn)定、使用方便、頻帶寬等優(yōu)點(diǎn)，是頻率在1.6GHz以下的應(yīng)用主流。但存在插入損耗大、處理高頻率信號(hào)時(shí)發(fā)熱問(wèn)題嚴(yán)重等缺點(diǎn)，因此在處理1.6GHz以上的高頻信號(hào)時(shí)適用性較差。

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LC型濾波器：即電感電容型濾波器。LC濾波器一般是由濾波電容、電抗和電阻適當(dāng)組合而成，電感與電容一起組成LC濾波電路。

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射頻模組簡(jiǎn)要分類(lèi)

射頻前端模組是將射頻開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器、濾波器、雙工器、功率放大器等兩種或者兩種以上的分立器件集成為一個(gè)模組，從而提高集成度和性能，并使體積小型化。根據(jù)集成方式的不同，主集天線(xiàn)射頻鏈路可分為：FEMiD（集成射頻開(kāi)關(guān)、濾波器和雙工器）、PAMiD（集成多模式多頻帶PA和FEMiD）、LPAMiD（LNA、集成多模式多頻帶PA和FEMiD）等；分集天線(xiàn)射頻鏈路可分為：DiFEM（集成射頻開(kāi)關(guān)和濾波器）、LFEM(集成射頻開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器和濾波器)等。

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主集天線(xiàn)射頻鏈路

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分集天線(xiàn)射頻鏈路

射頻前端的“價(jià)值密度”

既然5G手機(jī)PCB面積是受限制的資源，同時(shí)我們需要在5G手機(jī)內(nèi)“擠入”更多的射頻功能器件，因此我們?cè)u(píng)價(jià)每一類(lèi)型射頻器件時(shí)，需要建立一個(gè)參數(shù)來(lái)進(jìn)行統(tǒng)一描述，作為反映其價(jià)值與PCB占用面積的綜合指標(biāo)。

ValueDensity=（平均銷(xiāo)售價(jià)格ASP）/（芯片封裝大?。?

接下來(lái)，我們使用VD值這個(gè)工具，分別分析一下濾波器、功率放大器、射頻模組三類(lèi)產(chǎn)品的情況。

1. 濾波器的VD值

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首先說(shuō)明一點(diǎn)，由于通常情況下濾波器還需要外部的匹配電路，實(shí)際的VD值比器件的VD值還要再低一些。我們先忽略這個(gè)因素。根據(jù)以上的數(shù)據(jù)，我們可以得到一些結(jié)論：從LTCC到四工器，VD值持續(xù)增加，從1.2到10.0，增加比較快速。

2. 功率放大器的VD值

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根據(jù)以上數(shù)據(jù)，也可以看到:

a) 從2G到4G，VD值從0.6增加到了1.5。

b) 4G向CAT1演進(jìn)的小型化產(chǎn)品，以及向HPUE或者Phase5N演進(jìn)的大功率PA，VD值增加到了2附近。

3. 射頻模組的VD值

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根據(jù)以上數(shù)據(jù)，可以觀察到：

a) 接收模組普遍的VD值在5附近；

b) 接收模組中的小封裝H/M/L LFEM，VD值非常突出，大于10；

c) 發(fā)射模組（除FEMiD以外），VD值在4~6之間；

d) FEMiD具有發(fā)射模組最高的VD值。因此當(dāng)FEMiD與VD值較低的MMMB PA混搭時(shí)，也能達(dá)到合理的PCB布圖效率。

表格匯總的同時(shí)，我們也增加了技術(shù)國(guó)產(chǎn)化率和市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率的參考數(shù)據(jù)。一般來(lái)講，市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率較低的、或者技術(shù)國(guó)產(chǎn)化率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)國(guó)產(chǎn)化率數(shù)字的細(xì)分品類(lèi)，VD值會(huì)虛高一些。在本土相應(yīng)產(chǎn)品市占率提高以后，未來(lái)還會(huì)有比較明顯的*空間。

射頻發(fā)射模組的五重山

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發(fā)射1：PA與LC型濾波器的集成，主要應(yīng)用在3GHz~6GHz的新增5G頻段，典型的產(chǎn)品是n77、n79的PAMiF或者LPAMiF。這些新頻段的5GPA設(shè)計(jì)非常有挑戰(zhàn)，但由于新頻段頻譜相對(duì)比較“干凈”，所以對(duì)濾波器的要求不高，因此LC型的濾波器（IPD、LTCC）就能勝任。綜合來(lái)看，這類(lèi)產(chǎn)品屬于有挑戰(zhàn)但不復(fù)雜的產(chǎn)品，其技術(shù)和成本均由PA*掌控。

發(fā)射2：PA與BAW（或高性能SAW）的集成，典型產(chǎn)品是n41的PAMiF或者Wi-Fi的iFEM類(lèi)產(chǎn)品，頻段在2.4GHz附近。這類(lèi)產(chǎn)品的頻段屬于常見(jiàn)頻段，PA部分的技術(shù)規(guī)格有一定挑戰(zhàn)但并不高。由于工作在了2.4GHz附近，頻段非常擁擠，典型的產(chǎn)品內(nèi)需要集成高性能的BAW濾波器來(lái)實(shí)現(xiàn)共存。這類(lèi)產(chǎn)品由于濾波器的功能并不復(fù)雜，PA仍有技術(shù)控制力；但在成本方面，濾波器可能超過(guò)了PA。綜合來(lái)講，這類(lèi)產(chǎn)品屬于有挑戰(zhàn)但不復(fù)雜的產(chǎn)品，PA有一定的控制力。

發(fā)射3：LowBand發(fā)射模組。LB (L)PAMiD通常集成了1GHz以下的4G/5G頻段(例如B5、B8、B26、B20、B28等等)，包括高性能功率放大器以及若干低頻的雙工器；在不同的方案里，還可能集成GSM850/900及DCS/PCS的2GPA，以進(jìn)一步提高集成度。低頻的雙工器通常需要使用TC-SAW技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，以達(dá)到最佳的系統(tǒng)指標(biāo)。根據(jù)系統(tǒng)方案的需要，如果在LB PAMiD的基礎(chǔ)上再集成低噪聲放大器（LNA），這類(lèi)產(chǎn)品就叫做LB LPAMiD。可以看到，這類(lèi)產(chǎn)品的復(fù)雜度已經(jīng)比較高：PA方面，需要集成高性能的4G/5GPA，有時(shí)候還需要集成大功率的2GPA Core；濾波器方面，通常需要3~5顆使用晶圓級(jí)封裝（WLP）的TC-SAW雙工器?？偝杀镜慕嵌葋?lái)看（假設(shè)需要集成2GPA），PA/LNA部分和濾波器部分占比基本相當(dāng)。LB (L)PAMiD是需要有相對(duì)比較平衡的技術(shù)能力，因此第三級(jí)臺(tái)階出現(xiàn)在了PA和Filter的交界處。

發(fā)射4：FEMiD。這類(lèi)產(chǎn)品通常包含了從低頻到高頻的各類(lèi)濾波器/雙工器/多工器，以及主通路的天線(xiàn)開(kāi)關(guān)；并不集成PA。FEMiD產(chǎn)品通常需要集成LTCC、SAW、TC-SAW、BAW（或性能相當(dāng)?shù)腎.H.PSAW）和SOI開(kāi)關(guān)。村田公司定義了這類(lèi)產(chǎn)品，并且過(guò)去近8年的時(shí)間內(nèi)，占據(jù)了該市場(chǎng)的*主導(dǎo)權(quán)。三星、華為等手機(jī)大廠，曾經(jīng)或正在大量使用這類(lèi)產(chǎn)品在其中高端手機(jī)中。如前文所述，有競(jìng)爭(zhēng)力的PAMiD供應(yīng)商主要集中在北美地區(qū)；出于供應(yīng)鏈多樣化的考慮，一些出貨量非常大的手機(jī)型號(hào)，就可能考慮使用MMMB（Multi-Mode Multi-Band） PA加FEMiD的架構(gòu)。MMMB PA的合格供應(yīng)商廣泛分布在北美、中國(guó)、韓國(guó)，而日本村田的FEMiD產(chǎn)能非常巨大（主要表現(xiàn)在LTCC和SAW）。又如前文所述，F(xiàn)EMiD的VD值非常高，整體方案的空間利用率也在合理范圍內(nèi)。

發(fā)射5：M/H (L)PAMiD。這類(lèi)產(chǎn)品是射頻前端最高市場(chǎng)價(jià)值也是綜合難度最大的領(lǐng)域，是射頻前端細(xì)分市場(chǎng)的*。M/H通常覆蓋的頻率范圍是1.5GHz~3.0GHz。這個(gè)頻段范圍，是移動(dòng)通信的黃金頻段。最早的4個(gè)FDDLTE 頻段Band1/2/3/4在這個(gè)范圍內(nèi)，最早的4個(gè)TDD LTE頻段B34/39/40/41在這個(gè)范圍內(nèi)，TDS-CDMA的全部商用頻段在這個(gè)范圍內(nèi)，最早商用的載波聚合方案（Carrier Aggregation）也出現(xiàn)在這個(gè)范圍（由B1+B3四工器實(shí)現(xiàn)），GPS、Wi-Fi 2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窩網(wǎng)通信也都工作在這個(gè)范圍?？梢韵胂?，這段頻率范圍最大的特點(diǎn)就是“擁擠”和“干擾”，也恰恰是高性能BAW濾波器發(fā)揮本領(lǐng)的廣闊舞臺(tái)。由于這個(gè)頻率范圍商用時(shí)間較長(zhǎng)，該頻率范圍內(nèi)的PA技術(shù)相對(duì)比較成熟，核心的挑戰(zhàn)來(lái)自于濾波器件。

先解釋一下為什么這段頻率是移動(dòng)通信的黃金頻率。在很長(zhǎng)的發(fā)展過(guò)程中，移動(dòng)通信的驅(qū)動(dòng)力來(lái)自移動(dòng)終端的普及率，而移動(dòng)終端普及的核心挑戰(zhàn)在于終端的性能和成本。過(guò)高的頻率，例如3GHz以上、10GHz以上，半導(dǎo)體晶體管的特性下降很快，很難做出高性能；而過(guò)低的頻率，例如800MHz以下、300MHz以下，需要天線(xiàn)的尺寸會(huì)非常巨大，同時(shí)用來(lái)做射頻匹配的電感值和電容值也會(huì)很大，在終端尺寸的約束下，超低頻段的射頻性能很難達(dá)到系統(tǒng)指標(biāo)。簡(jiǎn)而言之，從有源器件（晶體管）的性能角度出發(fā)，希望頻率低一些；從無(wú)源器件（電容電感和天線(xiàn)）的性能角度出發(fā)，希望頻率高一些。有源器件與無(wú)源器件從本質(zhì)上的沖突，到應(yīng)用端的折衷，再到模組內(nèi)的融合，恰如兩股強(qiáng)大的冷暖洋流，在人類(lèi)最波瀾壯闊的移動(dòng)通信主航道上，相匯于1.5~3GHz的頻段，形成了終端射頻最復(fù)雜也最有價(jià)值的黃金漁場(chǎng)：M/HB (L)PAMiD。多么地美妙！

這類(lèi)高端產(chǎn)品的市場(chǎng)，目前主要由美商Broadcom、Qorvo、RF360等廠商占據(jù)。下圖是Qorvo公司在其官方公眾號(hào)上提供的芯片開(kāi)蓋分析。可以看到，該類(lèi)產(chǎn)品包含10顆以上的BAW，2~3顆的GaAs HBT，以及3~5顆SOI和1顆CMOS控制器，具有射頻產(chǎn)品最高的技術(shù)復(fù)雜度。該類(lèi)產(chǎn)品通常需要集成四工器或者五/六工器這類(lèi)超高VD值的器件。

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M/H LPAMiD開(kāi)蓋圖

來(lái)源：Qorvo公眾號(hào)

射頻接收模組的五重山

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接收模組的五重山模型，如上圖所述。

接收1：使用RF-SOI工藝在單顆die上實(shí)現(xiàn)了射頻Switch和LNA。雖然僅僅是單顆die，但從功能上也屬于復(fù)合功能的射頻模組芯片。這類(lèi)產(chǎn)品主要的技術(shù)是RF-SOI，在4G和5G都有一些應(yīng)用。

接收2：使用RF-SOI工藝實(shí)現(xiàn)LNA和Switch的功能，然后與一顆LC型（IPD或者LTCC）的濾波器芯片實(shí)現(xiàn)封裝集成。LC型濾波器適合3~6GHz大帶寬、低抑制的要求，適用于5G NR部分的n77/n79頻段。這類(lèi)產(chǎn)品也是SOI技術(shù)主導(dǎo)，主要應(yīng)用在5G。

接收3：從接收3往上走，接收模組開(kāi)始需要集成若干SAW濾波器，集成度越來(lái)越高。通常需要集成單刀多擲（SPnT）或者雙刀多擲（DPnT）的SOI開(kāi)關(guān)，以及若干通路支持載波聚合（CA）的SAW濾波器。封裝方式上，由于“接收3”的集成程度還不極限，因此有多種可能的路徑。其中國(guó)際廠商的產(chǎn)品主要以WLP技術(shù)為主，除了在可靠度及產(chǎn)品厚度方面有優(yōu)勢(shì)，主要還是可以在更高集成度的其他產(chǎn)品中進(jìn)行復(fù)用。

接收4：這類(lèi)產(chǎn)品叫做MIMO M/H LFEM。主要是針對(duì)M/H Band的頻段（例如B1/3/39/40/41/7）應(yīng)用了MIMO技術(shù)，增加通信速率，在一些中高端手機(jī)是屬于入網(wǎng)強(qiáng)制要求。看起來(lái)通信業(yè)對(duì)M/H這個(gè)黃金頻段果然是真愛(ài)啊。技術(shù)角度出發(fā)，這類(lèi)產(chǎn)品以RF-SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)的LNA加Switch為基礎(chǔ)，再集成4~6個(gè)通路的M/H高性能SAW濾波器。國(guó)際廠商在這些頻段已經(jīng)開(kāi)始普遍使用TC-SAW的技術(shù)，以達(dá)到最好的整體性能。

接收5：接收芯片的最高復(fù)雜度，就是H/M/L的LFEM。這類(lèi)產(chǎn)品以非常小的尺寸，實(shí)現(xiàn)了10~15路頻段的濾波（SAW Filter）、通路切換（RF-Switch）以及信號(hào)增強(qiáng)（LNA），具有超高的Value Density值（10左右），在5G項(xiàng)目上能幫助客戶(hù)極大地壓縮Rx部分占用的PCB面積，把寶貴的面積用在發(fā)射/天線(xiàn)等部分，提升整體性能。這類(lèi)產(chǎn)品需要的綜合技能最高，也基本必須要用WLP形式的先進(jìn)封裝方式才能滿(mǎn)足尺寸、可靠度、良率的要求。

總結(jié)

1.射頻模組的核心要求是多種元器件的小型化及模組集成。

2.無(wú)論是發(fā)射模組還是接收模組，純5G的模組是困難但不復(fù)雜，最有挑戰(zhàn)也最具價(jià)值的是4G/5G同時(shí)支持的高復(fù)雜度模組。

本土替代是黃金機(jī)遇，不需要賽道創(chuàng)新，核心是技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)4G/5G射頻芯片的產(chǎn)品化、小型化、模組化。開(kāi)元通信專(zhuān)注于射頻模組芯片的開(kāi)發(fā)，在廈門(mén)、上海和臺(tái)北建立了研發(fā)中心，“all-in模組”，以射頻模組為目標(biāo)配置關(guān)鍵資源，堅(jiān)定地推進(jìn)最高性?xún)r(jià)比和最實(shí)惠價(jià)格的模組芯片，以加速?lài)?guó)產(chǎn)模組產(chǎn)品的量產(chǎn)，助力中國(guó)通信產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

射頻模組的產(chǎn)業(yè)化率先發(fā)端在西方企業(yè)，比中國(guó)早5到10年；如本文篇頭的圖片，國(guó)外射頻模組大量在中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)售，中國(guó)還停留在分立器件產(chǎn)業(yè)的階段。中國(guó)產(chǎn)業(yè)當(dāng)然應(yīng)該奮起直追，而奮起直追的*步，就是先要深入分析5G模組的相關(guān)知識(shí)，結(jié)合自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，尋找合適的切入點(diǎn)，最終全身心地?fù)肀＝M化的產(chǎn)業(yè)潮流。只要全身心地?fù)肀С绷?，我們有充分信心，用五年十年左右的時(shí)間，完成本土射頻模組的飛躍。

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位于圣彼得堡的彼得大帝雕像

舉一個(gè)類(lèi)似的成功例子。近代的工業(yè)革命率先發(fā)端在西歐，西歐已經(jīng)開(kāi)始工業(yè)化，而俄國(guó)還是落后的封建農(nóng)業(yè)*。1703年，羅曼諾夫王朝沙皇彼得一聲令下，要在波羅的海的港口建造新的首都，盡管眾人反對(duì)，哪怕萬(wàn)千爭(zhēng)議，這位俄國(guó)歷史上數(shù)一數(shù)二的君王，這位喬裝成工匠在西歐游歷學(xué)習(xí)的君王，力排萬(wàn)難要建造一個(gè)通往歐洲通往*的俄國(guó)新首都（圣彼得堡），*地?fù)肀W洲、擁抱海洋、擁抱工業(yè)革命。歐洲、海洋、工業(yè)革命，就是18世紀(jì)*的潮流；國(guó)產(chǎn)替代、5G、射頻模組，就是今天射頻前端行業(yè)的潮流。

彼得大帝出生時(shí)，俄國(guó)是砧板上的魚(yú)肉，去世時(shí)俄國(guó)已然是切肉之刃。在本土手機(jī)行業(yè)已經(jīng)*崛起的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)上，希望我們中國(guó)的射頻行業(yè)能夠奮勇前行，擁抱國(guó)產(chǎn)替代、5G信息化、射頻模組化的歷史浪潮。如果說(shuō)在我們?nèi)胄袝r(shí)，中國(guó)的射頻行業(yè)還如砧板上的魚(yú)肉，那么希望在我們大家打算“退休”時(shí)，中國(guó)的射頻行業(yè)已經(jīng)是切肉之刃。與諸君共勉！

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