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P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管導(dǎo)通條件

P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的導(dǎo)通條件是柵極電位低于漏極電位。柵極電位比漏極電位低得越多，就越趨于導(dǎo)通。一般低于漏極電位15V就可以完全導(dǎo)通。壓差太大就會(huì)形成柵極擊穿。想關(guān)閉就要把柵極電位拉回漏極。結(jié)型場效應(yīng)管只有（耗盡型）；MOS管有（增強(qiáng)型）和（耗盡型）。增強(qiáng)型：就是UGS=0V時(shí)漏源極之間沒有導(dǎo)電溝道，只有當(dāng)UGS>開啟電壓(N溝道)或UGS<開啟電壓(P溝道)才可能出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。耗盡型：就是UGS=0V時(shí),漏源極之間存在導(dǎo)電溝道。場效應(yīng)管分為N溝
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薩科微常見模擬電路經(jīng)典問答（五）

模擬信號(hào)是指連續(xù)變化的電信號(hào)。模擬電路是電子電路的基礎(chǔ)，它主要包括放大電路、信號(hào)運(yùn)算和處理電路、振蕩電路、調(diào)制和解調(diào)電路及電源等。以下是我們常見的模擬電路問答。薩科微肖特基二極管產(chǎn)品系列 1、空穴是一種載流子嗎?空穴導(dǎo)電時(shí)電子運(yùn)動(dòng)嗎? 答∶不是，但是在它的運(yùn)動(dòng)中可以將其等效為載流子。空穴導(dǎo)電時(shí)等電量的電子會(huì)沿其反方向運(yùn)動(dòng)。 2、制備雜質(zhì)半導(dǎo)體時(shí)一般按什么比例在本征半導(dǎo)體中摻雜? 答∶按百萬分之一數(shù)量級(jí)的比例摻入。 3、什么是零點(diǎn)漂移?為
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求MOS管型號(hào)推薦！

N溝道增強(qiáng)型mos管選型 VGS為零時(shí)完全沒有那是不可能的，能不能達(dá)到200mA還要取決于你的VDS電壓，要是能承受200mA電流的管子還是很多的，把你的要求具體一下，電流、耐壓和封裝。什么是MOS管？ MOS管全名MOSFET，中文名叫場效應(yīng)管，取英文名的字頭簡稱MOS管，是電壓控制元件，在無刷電動(dòng)機(jī)控制電路中還叫功率開關(guān)管。MOS管是開關(guān)型晶體管，只有通和斷兩種狀態(tài)，通就是開，關(guān)是斷。以開通和關(guān)斷時(shí)間比例來控制輸出電壓高低，叫做占空比，電動(dòng)自行車的控制器和充電器都離不開MO
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MOS管的源極和漏極有什么區(qū)別

一、指代不同 1、源極：簡稱場效應(yīng)管。T僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。 2、漏極：利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)，或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。二、原理不同 1、源極：在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個(gè)不對(duì)稱的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱為柵極（g），在N型半導(dǎo)體的兩端各引出一個(gè)電極。 2、漏極：將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出
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薩科微常見模擬電路經(jīng)典問答（四）

模擬信號(hào)是指連續(xù)變化的電信號(hào)。模擬電路是電子電路的基礎(chǔ)，它主要包括放大電路、信號(hào)運(yùn)算和處理電路、振蕩電路、調(diào)制和解調(diào)電路及電源等。以下是我們常見的模擬電路問答。薩科微霍爾元件系列產(chǎn)品 1、什么是本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體? 答∶純凈的半導(dǎo)體就是本征半導(dǎo)體，在元素周期表中它們一般都是中價(jià)元素。在本征半導(dǎo)體中按極小的比例摻入高一價(jià)或低一價(jià)的雜質(zhì)元素之后便獲得雜質(zhì)半導(dǎo)體。 2、功放要求答∶a.輸出功率盡可能大。 b.高效率 c.非線形失真小 d.晶
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如何選擇最適合的MOS管驅(qū)動(dòng)電路？

1、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個(gè)管腳之間有寄
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【求教】MOS管開關(guān)電路。

MOS和三極管相像，但是三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)型，而MOS屬于電壓驅(qū)動(dòng)型，因此在控制的時(shí)候需要考慮MOS的G端電壓。一般的N溝道MOS在3V往上就可以導(dǎo)通，但是為了考慮可靠性，往往是加上一個(gè)電阻，接到12V左右，這是我們常用的。如圖我們產(chǎn)品中的一個(gè)圖，是電機(jī)驅(qū)動(dòng)，用的就是MOS的開關(guān)特性。另外，數(shù)字電路中所用到的三極管和MOS就是一個(gè)開關(guān)，因?yàn)閿?shù)字電路只有0和1。圖中的PWM是單片機(jī)IO端口直接過來的，0V和5V可變。后面一個(gè)推挽電路，然后給MOS。怎樣用MOS管做開關(guān)電路圖中電池的正
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薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)參加2021年正能量元器件分銷大數(shù)據(jù)應(yīng)用峰會(huì)

2021年12月12日下午，《2021正能量第五屆元器件分銷大數(shù)據(jù)應(yīng)用峰會(huì)暨年度杰出供應(yīng)商頒獎(jiǎng)盛典》在深圳京基100·瑞吉酒店如期舉行，本次峰會(huì)匯集了千余名來自全國的元器件分銷精英，眾多華強(qiáng)北的企業(yè)的負(fù)責(zé)人創(chuàng)始人到場，為本屆論壇增添了光彩。宋仕強(qiáng)先生作為金航標(biāo)kinghelm電子和薩科微slkor半導(dǎo)體的創(chuàng)始人，受正能量公司總經(jīng)理宋川的邀請參加了本次的峰會(huì)。薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生在正能量峰會(huì)的現(xiàn)場 2021年臨近尾聲，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了年終考試，一
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薩科微常見模擬電路經(jīng)典問答（三）

模擬信號(hào)是指連續(xù)變化的電信號(hào)。模擬電路是電子電路的基礎(chǔ)，它主要包括放大電路、信號(hào)運(yùn)算和處理電路、振蕩電路、調(diào)制和解調(diào)電路及電源等。以下是我們常見的模擬電路問答。薩科微中低壓MOS管 1、有源濾波器和無源濾波器的區(qū)別? 答∶無源濾波器∶這種電路主要有無源元件R、L和C組成。有源濾波器∶集成運(yùn)放和R、C組成，具有不用電感、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。集成運(yùn)放的開環(huán)電壓增益和輸入阻抗均很高，輸出電阻小，構(gòu)成有源濾波電路后還具有一定的電壓放大和緩沖作用。但集成運(yùn)放帶寬有限，所
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薩科微常見模擬電路經(jīng)典問答（二）

電子技術(shù)可謂是現(xiàn)如今信息時(shí)代的物理基礎(chǔ)，模擬電子技術(shù)作為電領(lǐng)域中處理連續(xù)變化信號(hào)的技術(shù)，其核心是信號(hào)的放大。在模擬電路中往往會(huì)遇見一些問題，例如：電子技術(shù)中的主要元器件有哪些？它們是如何工作的？如何用它們構(gòu)成滿足需要的放大電路和處理電路呢？在下述文章分享中您是否能找到這些問題的答案，以及解決這些問題的基本方法。薩科微光耦系列產(chǎn)品 1、多級(jí)放大電路的級(jí)間耦合一般有哪幾種方式? 答∶多級(jí)放大電路的級(jí)間耦合一般有直接耦合、阻容耦合、變壓器耦合及光電耦合四種。
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