2022-03-17
4
在2002年5月, Lester F. Eastman和Umesh K. Mishra撰文談到了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域一項(xiàng)長(zhǎng)期發(fā)展的技術(shù):氮化鎵(GaN)。 在那篇文章中,他們對(duì)氮化鎵在當(dāng)時(shí)新生的寬帶無線網(wǎng)絡(luò),雷達(dá)以及電網(wǎng)的電源開關(guān)應(yīng)用中中的前景表示了樂觀的看法。他們也將GaN器件稱為“迄今為止最堅(jiān)固的晶體管”。 他們是正確的。GaN的寬帶隙(使束縛的電子斷裂并促進(jìn)傳導(dǎo)所需的能量)和其他品質(zhì)使我們能夠利用這種材料的高電場(chǎng)耐受能力,從而使器件具有前所未有的性能。 如今,GaN已成為固態(tài)射頻功率
了解更多