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碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用方向！國晶微半導(dǎo)體

本文主要介紹了碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展歷史，并詳細(xì)解釋了碳化硅MOS管的分類和結(jié)構(gòu)。硅和碳的*成分是碳化硅（SiC），通常稱為金剛砂。碳化硅在自然界中以礦物莫桑石的形式存在，但非常罕見。然而，自1893年以來，已大量生產(chǎn)粉末狀碳化硅作為磨料。碳化硅用作磨料已有一百多年的歷史，主要用于砂輪和許多其他磨料應(yīng)用。 “在達(dá)到閾值電壓（VT）之前，SiC具有高電阻。當(dāng)達(dá)到閾值電壓時，其電阻將大大降低，直到施加的電壓下降到VT以下。SiC最早的電氣應(yīng)用就是利用了這一特性是配電系統(tǒng)中的避雷器（如圖所示）。
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mos管為何能夠得到各大廠商的廣泛認(rèn)可，其又有何優(yōu)勢

隨著mos管的面世，其得到不斷的發(fā)展，技術(shù)逐漸成熟，其逐漸在其領(lǐng)域占據(jù)了領(lǐng)軍地位。那么其有何優(yōu)勢能夠使其有能力得到各領(lǐng)域的廣泛認(rèn)可呢？它的輸入阻抗很高，在其工作時基本沒有噪音的產(chǎn)生，且具有熱穩(wěn)定性。且其制造工藝也十分的簡單，因此其能夠被大規(guī)模甚至超大規(guī)模的繼承領(lǐng)域中運(yùn)用，并穩(wěn)定的發(fā)揮其作用。因此，mos管能夠得到大眾廣泛的認(rèn)可。其次，mos管的在能夠保證其性能穩(wěn)定的同時其功耗也很低，與此同時，其擁有很強(qiáng)的抗輻射能力。在集成電路中，已經(jīng)逐漸有了能取代三級管的趨勢。其對電壓的控制方式也
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全球“缺芯”，國產(chǎn)化替代不樂觀專家稱產(chǎn)業(yè)鏈與供應(yīng)鏈應(yīng)并舉

讀創(chuàng)/深圳商報(bào)記者陳姝全球芯片供應(yīng)緊張從去年蔓延至今年，從手機(jī)到汽車、游戲機(jī)、安防等行業(yè)無一幸免。4月9日，“首屆中國基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)峰會”在第九屆“電博會”上舉行，業(yè)內(nèi)專家圍繞基礎(chǔ)元器件產(chǎn)業(yè)在“十四五”時期的機(jī)遇，如何應(yīng)對全球“缺芯”，國產(chǎn)化替代的路徑等問題展開討論。嘉賓們提出，芯片國產(chǎn)化必須產(chǎn)業(yè)鏈與供應(yīng)鏈并舉，構(gòu)建安全穩(wěn)定的供應(yīng)鏈依然任重道遠(yuǎn)。峰會由中國電子展（CEF）組委會、深圳市電子信息產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會主辦。政策利好，電子元器件迎發(fā)展機(jī)遇電子元器件包括電阻、電容、電感
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望2021之Cissoid：SiC在電動汽車的爆發(fā)之年

主編前言 2020年，我們共同經(jīng)歷了新冠肺炎疫情全球大*，近200*悄然離去，尊重生命，尊重科學(xué)，團(tuán)結(jié)抗疫成國際共識，武漢封城、長江洪水肆虐、澳洲叢林大火、非洲蝗蟲大災(zāi)、納卡地區(qū)爆發(fā)惡戰(zhàn)等都?xì)v歷在目，可以說，2020年是大災(zāi)大難的一年；但這絕不是全部，2020年，我們也共同見證了亞太15國簽署RCEP區(qū)域自貿(mào)合作，提振*經(jīng)濟(jì)信心，SpaceX實(shí)現(xiàn)*商業(yè)載人航天飛行，嫦娥五號任務(wù)取得圓滿成功，在*經(jīng)濟(jì)遭受嚴(yán)重沖擊之際中國成為*實(shí)現(xiàn)正增長的主要經(jīng)濟(jì)體。作為拉動經(jīng)濟(jì)復(fù)
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零電壓開關(guān)ZVS電路原理與設(shè)計(jì)

零電壓開關(guān)(ZVS)/零電流開關(guān)(ZCS)技術(shù)，或稱軟開關(guān)技術(shù)，小功率軟開關(guān)電源效率可提高到80%~85%。20世紀(jì)70年代諧振開關(guān)電源奠定了軟開關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)。基本介紹 PWM開關(guān)電源按硬開關(guān)模式工作(開/關(guān)過程中電壓下降/上升和電流上升/下降波形有交疊)，因而開關(guān)損耗大。高頻化雖可以縮小體積重量，但開關(guān)損耗卻更大了。為此，必須研究開關(guān)電壓/電流波形不交疊的技術(shù)，即所謂零電壓開關(guān)(ZVS)/零電流開關(guān)(ZCS)技術(shù)，或稱軟開關(guān)技術(shù)，小功率軟開關(guān)電源效率可提高到80%~85%。20世紀(jì)70年代
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功率半導(dǎo)體5年近7倍空間，IGBT最受益

汽車功率半導(dǎo)體5年近7倍空間，IGBT最受益政策支持、節(jié)能減排雙重驅(qū)動，新能源汽車加速滲透，預(yù)計(jì)2025年國內(nèi)新能源汽車滲透率將達(dá)到20%，2030年歐盟新能源汽車滲透率將達(dá)到40%。汽車電動化趨勢下車用功率半導(dǎo)體單車價值大幅提升。據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)，功率半導(dǎo)體ASP將從傳統(tǒng)燃油車的71美元大幅提升至全插混/純電汽車的330美元，是傳統(tǒng)燃油車的4.6倍。根據(jù)我們的測算，預(yù)計(jì)2025年全球汽車功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到80億美元，2025年全球新能源車用功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到53億美元，是2020年的7.
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二極管在市場中占據(jù)著什么樣的地位

二極管一次，對于尋常百姓家可能會有些陌生。但是對于相關(guān)領(lǐng)域的人來講，可能是再熟悉不過了。它是一種由半導(dǎo)體材料制成的一種電子物件。哪怕你沒有聽說過它，但是我們家中，有很多電器中都有它的存在。例如，小小的電視機(jī)遙控器，亦或者是高速運(yùn)轉(zhuǎn)的電腦。甚至有些樓盤的樓頂也將其運(yùn)用到了外觀的建設(shè)中來，利用其產(chǎn)生的五顏六色的光芒來吸引人們的注意。在這個人人低頭族的時代中，一部分年輕人為追趕時代的潮流，不斷的更換最新款的手機(jī)，而因此推動了手機(jī)行業(yè)的飛速發(fā)展。設(shè)計(jì)師也不斷的追求手機(jī)的各方面性能，力求其*。而人
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MOSFET Q2繼續(xù)*，“芯荒”難解，照明、小家電、充電樁推高需求

當(dāng)前，全球正陷入半導(dǎo)體供需失衡的狀態(tài)，波及范圍之廣，影響程度之深可以說是非常罕見的。而目前來看，這種供需失衡的狀態(tài)短時間內(nèi)并沒有太多緩解的跡象，以MOSFET為例，臺系MOSFET大廠大中日前表示，目前不論晶圓代工、封測產(chǎn)能都供給緊張，且不僅有晶圓代工*，就連封測廠也調(diào)漲報(bào)價，使成本不斷上升，且這種缺貨狀況至少延續(xù)到年底。有供應(yīng)鏈相關(guān)人士透露，最快大中將在第二季度開始調(diào)漲報(bào)價，漲幅有機(jī)會達(dá)到兩位數(shù)水平。一旦大中開漲，有可能將帶動其他MOSFET從業(yè)者一同跟漲，再次掀起MOSFET供應(yīng)鏈*潮
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場效應(yīng)管在各個領(lǐng)域扮演著什么樣的角色

場效應(yīng)管的工作原理聽起來其實(shí)十分的簡單，它追求自己能夠在幾乎絕緣的狀態(tài)下電流很難流動，因此產(chǎn)生巨大的能量供給，將產(chǎn)生的能量合理的利用于各個領(lǐng)域當(dāng)中。且提到場效應(yīng)管，那人們一定會想到柵極電壓，它們兩個總是有著各種各樣的關(guān)聯(lián)。通過利用晶體管來對電流進(jìn)行強(qiáng)有力的控制，因此來決定輸出電流流量的大小，因此來影響電壓的強(qiáng)弱，來解決了大功率電器無法使用的這一難題。這樣以來，高電流，高電壓不會再是小小零件無法承受的因素了。且剛開始時，這項(xiàng)技術(shù)被人們廣泛的運(yùn)用在高科技領(lǐng)域當(dāng)中來，尤其是電子行業(yè)。因?yàn)?/p> 了解更多
良率90%，成本僅為硅器件的1.5倍！碳化硅將革IGBT的命？

最近，某碳化硅企業(yè)在線上活動透露，6寸碳化硅晶圓的價格為2-3萬元/片，可以做成350-700顆車規(guī)級SiC Mosfet。目前碳化硅器件價格大約是硅器件的4-5倍。有機(jī)構(gòu)預(yù)測，2025年碳化硅器件的價格有望低至硅器件的1.5倍左右，但如何才能做到？ “三代半風(fēng)向”發(fā)現(xiàn)，不久前，北卡羅來納州立大學(xué)（NCSU）公布了一項(xiàng)碳化硅技術(shù)的最新進(jìn)展，目標(biāo)恰巧是要將碳化硅的價格降低至僅為硅晶圓的1.5倍。據(jù)介紹，這項(xiàng)技術(shù)可以幫助企業(yè)降低進(jìn)入碳化硅領(lǐng)域的門檻，最終實(shí)現(xiàn)代工廠共享、工藝共享，從而無需耗費(fèi)時間和財(cái)
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